Samsung Electronics представила новые высокопроизводительные твердотельные накопители объёмом полтерабайта.
Благодаря использованию 32-гигабитных чипов, производимых по 30-нм технологическому процессу, и третьему поколению интерфейса SATA были достигнуты отличные показатели скорости последовательных чтения и записи, которые находятся на уровне 250 Мб/с и 220 Мб/с соответственно, то есть трёхкратно превосходят производительность современных магнитных дисков.
Одновременно был сохранён невысокий уровень энергопотребления, сопоставимый с 256-Гб накопителем на основе 40-нм 16-гигабитных чипов NAND. Это стало возможным в результате использованию контроллера, отслеживающего режим использования накопителя и предпочтений пользователя и автоматически включающего экономичный режим.
Используется 256-битное шифрование AES, обеспечивающее защиту данных от нежелательного доступа из Интернета или в случае непредвиденной установки накопителя в чужой компьютер.
Массовое производство транзисторного накопителя Samsung 512GB SSD будет налажено в следующем месяце.
Одновременно был сохранён невысокий уровень энергопотребления, сопоставимый с 256-Гб накопителем на основе 40-нм 16-гигабитных чипов NAND. Это стало возможным в результате использованию контроллера, отслеживающего режим использования накопителя и предпочтений пользователя и автоматически включающего экономичный режим.
Массовое производство транзисторного накопителя Samsung 512GB SSD будет налажено в следующем месяце.
У вас нет прав для просмотра ссылки пожалуйста Вход или Регистрация
